そのプロパティが本質的に純粋な、ドープされていない、素材のものである太陽光発電装置に使用される半導体材料の層、、。
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ドープされていない半導体。
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スタンドアロンシステムまたは配電網に電力を供給するためにどちらかの交流電流に直流電気を変換する装置。
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損失は、正に帯電した結果として得られる粒子を作る;電子を紛失したり得ている原子の電荷を帯びた原子または基のゲインは、負に荷電粒子を行います。
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、直接拡散、および表面に当たる太陽放射を反映。通常平方メートル当たりのキロワットで表した。時間を掛けた放射照度は、日射量に相当します。
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欧州共同体委員会、イスプラ、イタリアの共同研究センターが発行する太陽光発電所のアセスメントのためのガイドライン、。
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本質的な、または電荷キャリアの濃度が追加された不純物のではなく、材料自体の特性になるようにドープされていないままになっている半導体材料。
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負荷としての太陽光発電装置からの電圧対電流のグラフィカルプレゼンテーションは、条件（最大電圧）短絡（無負荷）状態から開回路に増加しています。曲線の形状は、セルの性能を特徴付ける。
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エネルギーや仕事のメトリック単位、1秒あたり1ジュールは1ワット以上0.737フィートポンドに等しい、1カロリーは1055ジュールに等しい。
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このようなドナーの高濃度（n型）を有するものに受容体の高濃度（p型）を持つ領域からなるAP / n接合、などの半導体層、間の遷移の領域。
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